توشیبا و سندیسک حافظههای فلش ۱۹ نانومتری ساختند
دو شرکت تولیدکننده سختافزارهای رایانهای با همکاری هم درتلاشند تا با استفاده از فناوری 19 نانومتری، حافظه های فلش جدیدی را تا سه ماهه دوم سال 2011 عرضه کنند…
پی سی مارک – دو شرکت تولیدکننده سختافزارهای رایانهای با همکاری هم درتلاشند تا با استفاده از فناوری ۱۹ نانومتری، حافظه های فلش جدیدی را تا سه ماهه دوم سال ۲۰۱۱ عرضه کنند.
خبرگزاری مهر – شرکت اینتل در روزهای گذشته حافظههای فلش «ناند» جدیدی را بر پایه فناوری ۲۰ نانومتری معرفی کرد.
اکنون شرکت ژاپنی توشیبا با هدف حفظ بازار رقابت با اینتل در همکاری با شرکت سندیسک قصد دارد حافظه های فلش ناند ۱۹ نانومتری را ارایه کند.
این حافظههای فلش ناند که تا پایان سه ماهه دوم ۲۰۱۱ وارد بازار میشوند میتوانند ابزاری ایدهآل برای ساخت حافظههای داخلی دستگاههای قابل حملی چون تلفنهای همراه هوشمند و تبلتها باشند.
در مرحله اول عرضه این حافظههای جدید ۱۹ نانومتری، تنها حافظههای فلش ناند ۲ بیتی برای هر پیل ارایه میشود و از نیمه دوم سال جاری نسخههای ۳ بیتی برای هر پیل نیز تولید خواهد شد.
براساس گزارش وب نیوز، هر ماژول این حافظهها ۶۴ گیگابایت را عرضه میکنند و با ترکیب حافظههای بیشتر میتوان ظرفیت ذخیرهسازی را افزایش داد.
به طوری که با ترکیب ۱۶ واحد میتوان یک ماژول با حجم ۱۲۸ گیگابایت را به دست آورد. درحال حاضر حافظه های فلش تبلتها و تلفنهای همراه هوشمند حداکثر ۳۲ گیگابایت گنجایش دارند.